美国商务部发布公告，商务部长Howard Lutnick参观了台积电（TSMC）在亚利桑那州凤凰城的Fab 21，并参加了第三座晶圆厂的破土动工仪式。新项目将扩大尖端芯片制造规模，推动美国在人工智能（AI）、数据中心和智能手机方面的产业发展。
3月初，台积电宣布在已投资650亿美元的基础上，有意增加1000亿美元投资于美国先进半导体制造。该项扩大投资计划包括了三座新建晶圆厂、两座先进封装设施、以及一间主要的研发团队中心，这将是美国历史上最大规模的单项外国直接投资。
据了解，台积电在获得许可的几个小时后就开始了现场工作。Fab 21的第一座晶圆厂采用的是4nm工艺生产线，已于2024年末投产，第二座晶圆厂将提升至3nm工艺，计划2027年至2028年量产，第三座和第四座晶圆厂将采用更先进的制程技术，预计是基于2nm制程节点的N2和A16工艺。台积电预计，完工后其大概30%的2nm芯片将在美国制造。
台积电表示，通过这次扩大投资，预计未来四年提供约40,000个建造工作岗位，并在先进芯片制造和研发等领域创造数以万计高薪工作机会。预计未来十年里，这项投资还将推动亚利桑那州和美国各地超过2000亿美元的间接经济产出。
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