Rapidus宣布，在日本北海道千岁市的创新集成制造工厂（IIM-1）已开始其2nm GAA晶体管芯片的原型设计，同时初始测试晶圆已进入电气测试阶段。按照Rapidus公布的计划，目标在2027年开始实现2nm工艺的批量生产。
Rapidus表示，新工厂标志着对传统铸造模式的重大进步，正在重新构想半导体工厂应该如何通过尖端方法和技术实时思考、学习、调整和优化流程，包括：
-
完全单晶圆前端处理 - 在单晶圆工艺中，可以对单晶圆进行调整，并进行检查，如果成功，则应用于所有后续晶圆。单个晶圆捕获更多数据，使人工智能模型能够得到训练，以改善晶圆生产并提高产量。Rapidus是首批将完全商业化单晶圆处理的公司之一，这是其快速和统一制造服务（RUMS）的核心。
-
极紫外（EUV）光刻 - EUV是实现2nm半导体的关键技术之一，先进的光刻工艺对于形成2nm GAA结构至关重要，而Rapidus是日本第一家安装先进EUV光刻设备的公司。此外，2025年4月1日，Rapidus成功完成了EUV曝光，时间大约在2024年12月设备交付三个月后。
目前Rapidus正在开发与创新集成制造工厂的2nm工艺相兼容的开发套件，并将于2026年第一季度发送给高级客户。
平台声明：该文观点仅代表作者本人，联合网系信息发布平台。发布者：超能网，转转请注明出处：https://www.anesthesia.org.cn/24098.html
