中微公司尹志尧:目标5到10年内覆盖60%高端设备 无惧与友商正面竞争|对话科创家

5月29日讯(记者 郭辉) 5月27日上午10点,中微公司举行2024年度暨2025年第一季度业绩说明会。

会后,中微公司董事长、总经理尹志尧接受了投资者提问及媒体专访,对中微公司未来5到10年的产品战略、人才团队建设及接班人培养、产业突破封锁路径及前景等话题进行了解答。

中微公司尹志尧:目标5到10年内覆盖60%高端设备 无惧与友商正面竞争|对话科创家

中微公司董事长、总经理尹志尧

聚焦主业:刻蚀、薄膜设备订单快速起量

等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备是除了光刻机以外非常重要、也是市场空间广阔的关键设备。 “这是因为刻蚀需要几百种不同材料,精雕细琢刻成各种不同形状,CCP(高能等离子体刻蚀机)跟ICP(低能等离子体刻蚀机)设备加起来大概有300多种不同的应用。”

“尤其是在芯片工艺从2D到3D发展,以及10nm以下的制程升级,刻蚀跟薄膜的应用总量跟步骤数大大增加,近年市场体量的增长很快。”中微公司董事长、总经理尹志尧在5月27日举行的业绩说明会上介绍称。

从2019年至2024年,中微公司的等离子体刻蚀设备收入以年均超过50%的速度快速成长。其中,中微公司CCP设备做了20年、ICP不到10年,但ICP设备近两年连续以超过100%的速度实现增长,二者的订单体量如今已经十分接近。

在过去的20年间,中微公司共计开发了3代、18款刻蚀机,产品开发节奏不断加快,并且应用于主流客户及产品市场。

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中微公司在业绩说明会上展示的刻蚀机产品序列

尹志尧表示,“可以很自豪地讲,在等离子体刻蚀领域,我们基本可以全面覆盖(不同应用),包括成熟及先进逻辑器件、闪存、动态存储器、特殊器件等,并且已经有95%到99%的应用都有了批量生产的数据或客户认证的数据。”

工艺精度上,中微公司ICP刻蚀机Twin-star两台的加工精度已经进入皮米数量级,达到100皮米以下水平;双台刻蚀机实现原子、亚原子水平刻蚀控制,达到全球先进水平。目前业内量产所用刻蚀机的深宽比在60:1,中微公司正在突破90到100:1的深孔刻蚀。

以我国先进存储行业的应用为例,得益于高精度的设备工艺,中微公司产品为行业解决了其中5大最为关键的卡脖子设备。

除刻蚀设备外,中微公司自2010年开始不断开始扩大在薄膜设备领域的开发应用。开发策略是从MOCVD切入,到近几年开始集中力量开发LPCVD,接着做外延EPI设备、原子层沉积ALD设备,目前已经开始开发包括了PVD、ALD和LPCVD的大规模集成设备,并且也在利用新一代等离子体源开发PECVD设备。

据介绍,中微公司规划了近40种导体薄膜沉积设备的开发。其中9种设备已经完成开发,6款实现量产运转1年,今年计划将完成7种设备开发。

“我们很快将会把国际对国内禁运的20多种薄膜设备开发完成,预计到2029年完成所有开发”。尹志尧如是称。

中微公司设备产品在投入市场后迅速受到产业欢迎。据介绍,以LPCVD跟ALD钨金属沉积设备为例,近两年实现快速放量,2023年订单还只有1台,2024年就发货128台,到2025年预计将大幅增长。

“虽然公司薄膜设备现在的销售额还不到10亿,但相信3年到5年之内,预计至少成长到公司现在刻蚀设备一半的规模,达到同等数量级。”

详解平台化布局 自研+外延同时发力

与国际领先的半导体设备公司发展战略一样,中微公司也在规划平台化布局。

据尹志尧介绍,目前中微可以覆盖30%的集成电路设备。而在今后五到十年内,中微公司将与合作伙伴共同覆盖60%的集成电路高端设备,包括刻蚀、薄膜及量检测的全部设备,以及一部分湿法设备,成为平台式的集团公司。

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中微公司在业绩说明会上展示的产品规划

尹志尧表示, “中微公司从来都是有机生长(自研)跟外延扩张相结合。我们的基点在技术而不在并购,光靠并购做大的公司根基不稳,核心还是要增加自己的本事。”

以量检测设备为例,中微公司七、八年前就已经开始布局,其中电子束量检测设备事关国内产业的先进制程工艺开发,也是一大短板。据介绍,目前国内已经有多家公司做电子束检测,不过中微公司没有选择向外做并购,而是寻找全球该领域的顶级专家,自己组建团队,计划快速把电子束检测设备快速做起来。

在集成电路设备之外,中微公司刻蚀薄膜技术,还可向外扩展至6大类的泛半导体微观加工设备,包括平板显示设备、太阳能电池设备、发光二极管设备、微机电系统设备(MEMS)、功率器件及其他、3D先进封装及Chiplet。

据介绍,在宽禁带化合物半导体外延设备市场,中微公司开发了多种MOCVD设备。其中,碳化硅功率器件外延设备目前已经进入生产验证阶段,氮化镓Micro LED蓝绿光设备已经被核准并进入生产,氮化镓功率器件外延设备、砷化镓红黄光设备将在今年进入生产。

中微公司还在大平板设备方面进行了多年的研究开发。尹志尧表示,大平板设备体积较大,且设备开发成本昂贵,不适合中小规模的半导体设备公司开发,并且相关设备直至近两年才由于国际供应形势变化受到业内关注,算是从0起步。中微公司之所以选择做大平板设备,在于其薄膜、沉积、量检测技术环节都涉及新的技术工艺,包括玻璃基板、面板级先进封装开发等产业趋势以及智能玻璃等终端应用,“目前来看这一市场非常有前景”。

中微公司大平板显示PECVD等离子体加强的化学薄膜设备用时15个月完成开发,样机用时1年开始运行,用时3个月设备工艺达到LCD及OLED的量产指标。

在5月27日的业绩说明会后,尹志尧接受了多家投资机构及媒体的采访,分享了他在企业经营战略当中的经验和产业洞见。整理了其中几条:

1.AI技术正在半导体设备的研发中体现出价值,中微公司走在行业之前,现在有一个将近50人的团队专门搞AI算法,并参与到半导体设备的研发设计中,形成了几十个案例,加快了开发进展。

2.半导体设备未来不能只靠一家公司。目前国内比较成熟的半导体设备公司正在快速发展,因为产品门类很多,现在的情况来看行业并不算“内卷”,但即使没有外力推动,未来产业的趋势也是向头部少数几家企业集中,中微公司希望成为其中之一。

3.国内大部分半导体设备公司还没有能力做自己的创新设计,开始学习的过程中模仿无可非议,但中微公司的产品从来都有自己的独特设计。

4.如果没有EUV,用DUV光刻机做到5nm没有问题,只是需要更多刻蚀薄膜的双重、多重曝光工艺环节,但到3nm能不能做还是个问号,对此我相信中国人的能力和志气。

5.如果光刻机不能很快解决的话,我们刻蚀薄膜的主业可以做的事情就是结合多重曝光的技术,把制程做小,这也是我们的责任。

6.并购政策推动下,这两年设备行业并购案例还不算多,可能在于政策还没有落到实处。建议提出并购方案的上市企业,可根据标的公司经营规划及业绩完成情况进行阶梯性的溢价收购,给予被并购公司在上市这条路径的至少50%回报,而且需要监管不追求商誉减值分析,才有更多公司愿意合起来干。

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